Q1：什么是半导体真空泵？有什么用途？

半导体真空泵是从真空泵的应用行业角度进行划分的。不同行业对真空泵应用的要求不同。半导体真空泵是半导体生产设备中的核心真空获得装置，主要用于为芯片制造的关键工序提供洁净、稳定且符合高真空标准的环境。

Q2：哪些半导体制造工艺需要应用真空泵？

集成电路是半导体最大的分支，集成电路（芯片）制造可划分为15个主要工艺，其中11个工艺需要在真空环境中进行，也就是需要真空泵的直接参与，约占整个制造工序的70%。

需要真空泵的半导体制造工艺：

晶圆拉晶、Load Lock、氧化、CVD/PVD/ETCH/离子注入、外延、光刻、退火、封装

Q3：半导体真空泵分类

首先明确一点，半导体制造属于高精密高洁净生产，因此只能使用干式真空泵，简称干泵。所以，半导体真空泵默认指代干泵。

根据工作原理不同，半导体干泵分为干式螺杆真空泵、罗茨真空泵、爪泵、涡旋真空泵。

根据真空度不同，半导体干泵分为中真空真空泵（螺杆真空泵、罗茨真空泵、爪泵）和高真空真空泵（分子泵、低温泵、涡旋泵）。

根据体积及组合方式，半导体干泵分为单泵和机组（螺杆-罗茨真空泵机组，爪泵-罗茨真空泵机组等）。机组的抽气能力更大，真空度稳定性更好，一般使用在薄膜沉积、刻蚀等工艺。

 

Q4：半导体真空泵处理的工艺介质有哪些

第一个：粉尘类。CVD镀膜工艺中有大量硅粉尘。

第二个：气体类。硅源气体：硅烷 SiH₄、二氯硅烷 DCS、三氯硅烷 TCS、TEOS（正硅酸乙酯） 用来长多晶硅、氧化硅介质层，PECVD、LPCVD、ALD 工艺用。

金属 / 金属化合物气源：钨源 WF₆、钛源 TiCl₄，用来沉积钨、钛金属导电层。

氮源：氨气 NH₃，长氮化硅阻挡层。

Q5：半导体真空泵的技术壁垒有哪些？为什么半导体真空泵最难？

干式真空泵技术壁垒高，体现在：材质与可靠性要求严苛（如Y₂O₃涂层工艺设备被日本垄断）、核心部件与加工精度存在瓶颈（如转子动平衡需达G1.0级，高精度传感器90%依赖日美）、冷却系统与温度管控难题、以及市场验证与供应链壁垒（Fab厂验证周期长达1-2年）。

 

Q6：薄膜沉积环节为什么是半导体工艺中对真空泵需求最大的环节？

薄膜沉积是晶圆制造流程中真空泵需求的核心环节，其对真空泵的需求占比高达整体市场的30%，需求集中在气体分压的精准控制上，以保障薄膜均匀性和芯片性能一致性。

不同CVD技术对真空度要求不同：低压化学气相沉积（LPCVD）需维持10⁻³Pa的高真空，普遍采用罗茨泵与分子泵组合；等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通常在10⁻¹Pa的中真空下运行，干式罗茨泵是主流适配设备，其在PECVD整机设备中的成本占比可达12.7%。

 

Q7：半导体真空泵品牌有哪些

国外真空泵品牌：EDWARDS、BUSH（含普发）、EBara、大阪、岛津、ULAC、Leybold

国产真空泵品牌：MICROWA迈科微、汉钟、通嘉、中科仪（有批量应用的真空泵厂家）

 

Q8：中国半导体真空泵市场现状

中国是最大的也是增长最快的半导体设备市场，但是晶圆厂用到半导体干泵被国外真空泵品牌所垄断。综合多个市场调研机构数据，中国半导体真空泵85%的市场份额是国外品牌，其中最大的是英国的EDWARDS，在行业内的认可度非常高，市场份额也是最大的。

国产半导体真空泵市场份额最大的是中科仪，中科院研究所改制而来，技术实力强。在国产替代趋势下，产品已经批量交付部分晶圆厂。迈科微、汉钟、通嘉也有若干半导体干泵订单，总体市场份额可忽略不计。

 

Q9：国产半导体干泵主要应用在哪些制造工艺？

半导体制造工艺根据难易程度可分为清洁制程、中等制程、严苛制程。以MICROWAY迈科微为例，国产半导体干泵已经通过清洁制程、中等制程的工艺验证，并形成订单。在严苛制程工艺中，国产干泵缺少可靠性验证。

 

Q10：一个晶圆厂需要多少台真空泵？

以月产4万片12英寸晶圆的工厂为例，真空泵配置以干式真空泵为基础（总量达2000台）、以分子泵为核心高真空组件（500台）、以低温泵为高端工艺补充（50台）；

干泵高度集中于核心制程：刻蚀环节占比40%，薄膜沉积环节占比30%，二者合计占干泵总量的七成；